DRAM کلاس 12 نانومتری DDR5
سامسونگ امروز نسخه به روز شده DRAM 16 گیگابایتی DDR5 خود را معرفی کرد. این حافظه بر اساس فناوری فرآیند کلاس 12 نانومتری ساخته شده است که از محصول 14 نانومتری EUV در حال حاضر در بازار ارتقا یافته است.
DRAM جدید DDR5 همچنین اعلام شد که با محصولات AMD سازگار است و در پلتفرم‌های Zen بهینه‌سازی و تایید شده است.
Jooyoung Lee، معاون اجرایی محصول و فناوری DRAM در سامسونگ، گفت که استاندارد جدید یک عامل کلیدی در پذیرش DRAM DDR5 در بازار خواهد بود.
این با استفاده از ماده جدیدی تولید می شود که ظرفیت سلولی را افزایش می دهد و فناوری طراحی اختصاصی که ویژگی های مدار بحرانی را بهبود می بخشد.
DRAM جدید مبتنی بر لیتوگرافی EUV (فرابنفش شدید) است که به چگالی قالب بالاتر و 20 درصد بهره وری بهتر wafer اجازه می دهد. همچنین 23 درصد انرژی کمتری مصرف می کند و در را برای عملیات سازگار با محیط زیست بهتر در میان شرکت های فناوری اطلاعات باز می کند.
انتظار می رود اولین DRAM کلاس 12 نانومتری DDR5 در سال 2023 عرضه شوند.
دیدگاهتان را بنویسید